CET/华瑞
CEP63A3,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,66A,0.01Ω
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
企业名：深圳市金城微零件有限公司
类型：经销商
电话： 0755-83683996
联系人：钟丽华
QQ： 
邮箱：2355799088@qq.com
地址：广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E（上海宾馆后面） 门市1部：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部：深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
CEP63A3,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,66A,0.01Ω CEP93A3,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,150A,0.003Ω
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEP63A3
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):66
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):75
极间电容Ciss(PF):2100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:30V, 66A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
产品型号:CEP93A3
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):150
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.003
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):120
极间电容Ciss(PF):4100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:30V, 150A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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