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场效应管 IRFS710B IRFS720B

场效应管 IRFS710B IRFS720B
场效应管 IRFS710B IRFS720B
  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    IRFS710B IRFS720B,MOS,400V,2A,3.4Ω,220F

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息

产品型号:IRFS710B

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):400

夹断电压VGS(V): 30/-30

漏极电流Id(A):2

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.4 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):23

极间电容Ciss(PF):250

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):2.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):100

温度(℃): -55 ~150

描述:400V,2A  N-Channel MOSFET

 

产品型号:IRFS720B

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):400

夹断电压VGS(V): 30/-30

漏极电流Id(A):3.3

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.75 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):33

极间电容Ciss(PF):460

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):2.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):240

温度(℃): -55 ~150

描述:400V,3.3A  N-Channel MOSFET


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1、直接与我司工作人员联系!
2、登陆我站:https://www.chinajincheng.com
3、:4006262666
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联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83683996

联系人:钟丽华

QQ: QQ:2355799088

邮箱:2355799088@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

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