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场效应管 NTD110N02R-001 T110N2

场效应管 NTD110N02R-001 T110N2
场效应管 NTD110N02R-001 T110N2
  • 品牌/商标:

    0N/安森美

  • 型号/规格:

    NTD110N02R-001马来,MOS,24V,110A,0.0041Ω,251

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    2(V)

  • 夹断电压:

    20(V)

  • 极间电容:

    3440(pF)

  • 漏极电流:

    110A(mA)

  • 耗散功率:

    110W(mW)

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

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商品信息

NTD110N02R-001马来,MOS,24V,110A,0.0041Ω,251

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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
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GFU30N03 07  通用 TO-251 N场 30V 30A
GFU50N03 07  通用 TO-251 N场 30V 50A
IPF105N03LG 07NPB infineon 252三脚反贴 N场 30V 35A
IPS031N03LG 07NPB infineon TO-251短 N场 30V 90A
IPS04N03LA 07  infineon TO-251短 N场 30V 0A
IPU04N03LA 05  infineon TO-251 N场 30V 80A
IPU04N03LAG 05NPB infineon TO-251 N场 30V 80A
IPU12N03L 07  infineon TO-251 N场 30V 30A
IRFU3707Z 04  IR TO-251 N场 30V 61A
IRFU3709Z 04  IR TO-251 N场 30V 90A
IRFU3709Z 05NPB IR 252三脚反贴 N场 30V 90A
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