场效应管 H05N60E H05N60F HF05N60F

品牌/商标：
HJ/华昕
型号/规格：
H05N60F ，TO-220F，HJ/华昕，DIP/MOS，N场，600V，5A，2.3Ω
种类：
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
N-FET硅N沟道
夹断电压：
±30
极间电容：
300
漏极电流：
5A

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企业名：深圳市金城微零件有限公司

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产品分类

电源IC(9)
∟ 稳压IC(9)
二极管(315)
∟ 稳压二极管(1)∟ 开关二极管(1)∟ 变容二极管(2)∟ 快/超快/特快恢复二极管(170)∟ 肖特基二极管(141)
三极管(57)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(1)∟ 功率三极管(33)∟ 开关三极管(6)∟ 低噪声三极管(3)∟ 复合(达林顿)三极管(10)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(2031)
∟ MOSFET(1893)∟ 结型场效应管(2)∟ 其他场效应管模块(3)
可控硅IGBT(48)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(20)∟ 双向可控硅(晶闸管)(26)
电源/稳压器(6)
∟ 模块电源/电源模块(4)
传感器(1)
∟ 霍尔传感器(1)
LED(1)
∟ 其它LED相关产品（服务）(1)

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商品信息

H05N60 N-Channel Power Field Effect Transistor

Description
This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high
energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy
device also offers a drain-to-source diode with fast recovery time.
Designed for high voltage, high speed switching applications such as
power suplies, converters, power motor controls and bridge circuits.

Features
• Higher Current Rating
• Lower RDS(on)
• Lower Capacitances
• Lower Total Gate Charge
• Tighter VSD Specifications
• Avalanche Energy Specified

"

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