您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET

场效应管 2SK4101LS,K4101,2SK4101

场效应管 2SK4101LS,K4101,2SK4101
场效应管 2SK4101LS,K4101,2SK4101
  • 品牌/商标:

    Sanyo/三洋

  • 型号/规格:

    2SK4101LS

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    频道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息

2SK4101LS,SANYO,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,7A,1.1Ω

2SK4101LS,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,7A,1.1Ω

特点
 * 低导通电阻,低输入电容,超高速开关。
 * 高可靠性(通过HVP过程)。
 * 的附件可操作性是由云母包好。
 * 雪崩电阻的保证。


产品型号:2SK4101LS 通用开关设备应用

封装:TO-220F

品牌:SANYO/三洋

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):7

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.1 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):35

输入电容Ciss(PF):750 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):4.6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):289

导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.

上升时间Tr(ns):40 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):89 typ.

下降时间Tf(ns):31 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SK4101LS 650V,7A N-沟道增强型场效应晶体管

 

登陆我站:https://www.chinajincheng.com

(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)

 

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83683996

联系人:钟丽华

QQ: QQ:2355799088

邮箱:2355799088@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9