IR/国际整流器
IRF630N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
200（V）
20（V）
6（μS）
22（pF）
企业名：深圳市科沃科技有限公司
类型：生产加工
电话： 755-26441258
联系人：何岚
地址：广东深圳南山区深南大道12069号海岸时代大厦西座1202室
原装现货，*十。深圳现货。
MOSFET, 200V, 9.5A, 300 mOhm, 23.3 nC Qg, TO-220AB
| Parameter | Value |
| Package | TO-220AB |
| Circuit | Discrete |
| VBRDSS (V) | 200 |
| VGs Max (V) | 20 |
| RDS(on) Max 10V (mOhms) | 300.0 |
| ID @ TC = 25C (A) | 9.5 |
| ID @ TC = 100C (A) | 6.8 |
| Qg T* (nC) | 23.3 |
| Qgd T* (nC) | 11.3 |
| Rth(JC) (K/W) | 1.83 |
| Power Dissipation @ TC = 25C (W) | 82 |
| Part Status | Active |
| Environmental Options Available | PbF |
| Package Cl* Can | Thru-Hole |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
