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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4412 AOS 美国万代 电子元器件IC

场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4412 AOS 美国万代 电子元器件IC
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4412 AOS 美国万代 电子元器件IC
  • 品牌:

    AOS

  • 型号:

    AO4412

  • 封装:

    SOP-8

  • 批号:

    17+18+

  • FET类型:

    参照PDF

  • 漏源电压(Vdss):

    参照PDF

  • 漏极电流(Id):

    参照PDF

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    参照PDF

  • 栅源电压(Vgs):

    参照PDF

  • 栅极电荷(Qg):

    参照PDF

  • 反向恢复时间:

    标准

  • 耗散功率:

    标准

金牌会员 第 11
  • 企业名:深圳市创芯联盈电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 15915459078

    手机:15915459078

    联系人:joanna蔡小姐

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    地址:广东深圳深圳市福田区深南中路2070号电子大厦5楼整层

商品信息 更新时间:2019-08-12

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4412 AOS 美国万代 电子元器件IC
名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4412 AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AO4412
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
是否跨境出口货源:是

此账号为年会员期,公司诚信经营,请您放心购买。深圳市创芯联盈电子有限公司属于创芯联盈(香港)有限公司,总部于2004年3月在香港创立,历经11周年,目前香港有40多人,深圳有30多人,是一家快速发展的全球化电子公司,可为客户配套一站式采购。 目前深圳子公司总办公面积270多平米,下设总经理,2个业务组,一个VIP客户部,一个产品部,一个行政部,一个财务部,一个质检部。 公司凭借10多年的营销经验及良好的业内信誉与国内100多家实力雄厚的现货库存公司签订了长期的计划销售协议,建立起多渠道的供应合作关系,主要经销的品牌有: TI(可以查询现货库存1万7000多个种类),ADI(可以查询现货库存1万8000多个种类),AVAGO(可以查询现货库存5000多个种类),MAXIM/DALLAS(可以查询现货库存1万5000多个种类),FSC/IR/VISHAY(可以查询现货24000多个种类)、MICROCHIP(可以查询现货库存5000多个种类),NXP/ON(可以查询现货库存15000多个种类),INFINEON(可以查询现货库存1900多个种类),DIODES(可以查询现货库存3500多个种类),FREESCALE(可以查询现货库存3000多个种类)等 
内存FLASH系列:SAMSUANG(可以查询现货库存1500多个种类 ),SST/ISSI(可以查询现货2700多个种类),MICRON(可以查询现货库存2600多个种类),HYNIX海力士(现代)(可以查询现货库存1200多个种类),SPANSION(可以查询现货库存400多个种类),SILICON(可以查询现货库存300多个种类),WINBOND(可以查询现货库存400多个种类)等。                                                                         公司还兼营各种无源被动器件、连接器、蜂鸣器、继电器、传感器以及诸多偏冷门、停产、类集成电路。 我们有实力的销售团队,经过全体成员的坚持不懈共同协作,在深圳、北京、上海、青岛、武汉、杭州、湖南、浙江、安徽、 江苏、云南、福建、河南、陕西、天津、辽宁、山东等地建立了稳定的销售渠道,更与多家上市企业签订了长期合作协议,深圳市大族激光科技股份有限公司,兰州长城电工股份有限公司,宁波中荣声学科技有限公司,航天通信控股集团股份有限公司等。 公司保证售出的产品符合生产厂家的质量标准,并对进货和出货均有严格防静电保护措施,并有专人跟踪服务。                    













 



                                                                                                                                              

场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。


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类型:贸易/代理/分销

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