AO4420
美国万代AOS
SOP-8
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
中功率
中国
全新原装
企业名:深圳市冠亚通电子科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-82584853
手机:13692104516
联系人:易小姐 辛先生 兰先生 周先生
邮箱:szguanyatong88@163.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北路深纺大厦A座903
标准包装:1类别:分立式导体产品家庭:FET - 单系列:-包装:剪切带 (CT)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):13.7A (Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值):10.5 毫欧 @ 13.7A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值):2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4050pF @ 15V功率 - 值:3.1W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOIC其它名称:785-1287-1
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VDS (V) ID(A)
13.8
13.2
Symbol Limit Units
VDS 30
VGS ±20
TA=25°C 13.8
TA=70°C 11.6
IDM 50
IS 4.6 A
TA=25°C 3.1
TA=70°C 2.2
TJ
, Tstg -55 to 150 °C
Symbol Maximum Units
40
80
Notes
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature
Pulsed Drain Current b
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
THERMAL RESISTANCE RATINGS
°C/W
Parameter
Operating Junction and Storage Temperature Range
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)
V
Parameter
Drain-Source Voltage
Maximum Junction-to-Ambient a
Continuous Drain Current a
PRODUCT SUMMARY
30
rDS(on) (mΩ)
11 @ VGS = 4.5V
12 @ VGS = 2.5V
Gate-Source Voltage
Power Dissipation a
t <= 10 sec
Steady State
RθJA
ID
A
PD W
Key Features:
• Low rDS(on) trench technology
• Low thermal impedance
• Fast switching speed
Typical Applications:
• White LED boost converters
• Automotive Systems
• Industrial DC/DC Conversion Circuits
企业名:深圳市冠亚通电子科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-82584853
手机:13692104516
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友情链接: 深圳市元东发电子有限公司