SI7143DP-T1-GE3原装VISHAY MOSFET管

特征
•卤根据IEC 61249-2-21自由
定义
•®TrenchFET功率MOSFET
•低热阻的PowerPAK®
小尺寸和低1.07毫米封装
简况
•100% RG测试
•100%用户界面测试
•符合RoHS指令2002 / 95 / EC
应用
•负荷开关
•适配器开关
•笔记本电脑
规格TJ = 25°C，除非另有说明
参数符号测试条件。最大单位
静态
漏源击穿电压VDS VGS = 0 V，ID = 250 - 30 Vμ
VDS的温度系数ΔVDS / TJ ID = 250μ- 20 mV /°C VGS（TH）温度系数ΔVGS（TH）/ TJ 5
栅极阈值电压VGS（TH）VDS = VGS，ID = 250μ一- 1.2 - 2.8 V
栅源漏IGSS VDS = 0 V，20 V VGS =±±100钠
零栅电压漏电流
VDS = 30 V，VGS = 0 V - 1
μVDS = 30 V，VGS = 0 V，温度Tj = 55°C 10
状态漏电流ID（上）VDS≤- 5 V，VGS = 10 V - 20
在国家”RDS漏源（上）
VGS = 10 V，ID = 16.1 0.0083 0.0100
ΩVGS = 4.5 V，ID = 11.8 0.0155 0.018
提出了transconductancea GFS VDS = 15 V，ID = 16.1一37
dynamicb
输入Capacitance Ciss
VDS = 15 V，VGS = 0 V，f = 1 MHz
二千二百三十
输出电容Coss 385 pF
反向传输电容Crss 322
总栅极电荷QG
VDS = 15 V，VGS = 10 V，ID = 14.4 47.5 71
数控VDS = 15 V，VGS = 4.5 V，ID = 14.4
二十四点六三七
栅源电荷QGS 7.7
栅漏电荷Qgd 12
栅极电阻Rg f = 1 MHz的0.3 1.5 3
打开Delay Time td（上）
VDD = 15 V，RL = 1.5
我≅- 10，vgen = 4.5 V，RG = 1
50 75
NS
上升时间TR 43 65
关闭延迟时间td（off）30 45
下降时间TF 14 21
打开Delay Time td（上）
VDD = 15 V，RL = 1.5
我≅- 10，vgen = 10 V，RG = 1
14 21
上升时间TR 9 18
关闭延迟时间td（off）36 54
下降时间TF 10 20
漏极体二极管特性
连续源漏电流二极管是TC = 25°C - 30
脉冲二极管的正向电流的ISM 60
体二极管电压室间隔如果= - 10 - 0.8 - 1.2 V
体二极管的反向恢复时间trr
如果= - 10，di / dt = 100 /μ，TJ = 25°C
31 47 ns
体二极管的反向恢复电荷Qrr 30 45数控
反向恢复下降时间TA 15纳秒反向恢复上升时间TB 16

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