INFINEON晶体管BSO080P03S规格

制造商零件编号：
BSO080P03S
制造商:
Infineon Technologies
说明：
MOSFET P-Ch -30V -14.9A SO-8
规格
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
技术: Si
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Id-连续漏极电流: - 14.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 22 ns
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
Pd-功率耗散: 1.79 W
上升时间: 22 ns
系列: BSO080P03
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 3.9 mm
零件号别名: BSO080P03SNTMA1
单位重量: 506.600 mg
特征
•P沟道
•增强模式
•逻辑电平
•150°C工作温度
•符合JEDEC标准的目标应用
无铅电镀；符合RoHS标准
•卤根据iec61249-2-21自由

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