ISL6612ACBZ-T INTERSIL栅极驱动器 

制造商
Intersil
制造商零件编号
ISL6612ACBZ-T
描述 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
同步整流降压
预POR OVP MOSFET驱动器
ISL6613A的isl6612a和高频MOSFET
专为驱动上、下功率而设计的驱动程序
同步整流降压型n沟道MOSFET
变换器的拓扑结构。这些驱动程序结合hip63xx或
isl65xx多相降压PWM控制器和N沟道
MOSFET形成完整的核心电压调节器解决方案
先进的微处理器。
的isl6612a带动上门至12V，而下
栅极可独立驱动，范围从5V到
12V。ISL6613A驱动的上下门
一个5V到12V的范围。这个驱动电压提供
优化应用程序所需的灵活性
栅电荷与导通损耗的权衡。
先进的自适应零直通保护是
集成，以防止上，下MOSFET
同时进行并尽量减少死亡
时间。这些产品增加过压保护功能。
操作之前，VCC超过其开启阈值，在
其中相位节点连接到低电平的栅极。
侧MOSFET（LGATE）。变换器的输出电压
然后限制了低侧MOSFET的阈值，
它为微处理器提供了一些保护，如果
上MOSFET在初始启动时短路。
这些驱动程序还具有三态PWM输入，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
防止输出电压负瞬变时
输出关闭。此功能消除肖特基。
在某些系统中用来保护负载的二极管
从反向输出电压事件。
特征
•引脚到引脚兼容与hip6601 SOIC家族
•用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
•先进的自适应零穿透保护
- Body Diode检测
-自动偏置RDS（ON）导通偏置效应
•可调栅极电压（5V至12V）以获得效率
•36v内部自举的肖特基二极管
•自举电容充电的预防
•支持高开关频率（高达2MHz）
3A下沉电流能力
-快速上升/下降时间和低传播延迟
•三级PWM输入输出级关闭
•三状态PWM输入滞后的应用
电源排序要求
•预电压过电压保护
•VCC欠压保护
•可膨胀的底部铜垫增强热量
下沉
•双扁平无引脚封装（DFN）
-接近芯片规模封装，改进PCB
效率和稀释剂
•Pb Free（符合RoHS标准）
应用
•英特尔和AMD微处理器的核心管理器
•大电流DC/DC变换器
•高频高效VRM和VRD
相关文献
•技术简介tb363”准则处理
处理湿敏表面贴装器件
（SMDs）”
•技术简介tb417传动系设计，布局
准则和反馈补偿设计

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