CES2331丝印:317E 20V 4.2A P沟道MOSFET

型号/规格：
CES2331
品牌/商标：
CET
封装形式：
SOT-23
环保类别：
普通型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装

发布询价信息

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产品分类

集成电路(IC)(19)
∟ 其他IC(19)
二极管(1)
∟ 肖特基二极管(1)

新品上架

商品信息

CES2331CES2331丝印:317E 20V 4.2A P沟道MOSFET

中国命名法

有两种命名方法。

场效应管通常有下列两种命名方法。

第一种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第3、第4和第5部分来命名，其中的第3部分用字母CS表示场效应管，第4部分用阿拉伯数字表示器件序号，第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。

第二种命名方法与双极型三极管相同，第一位用数字代表电极数；第二位用字母代表极性（其中D是N沟道，C是P沟道）；第三位用字母代表类型（其中J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管）。例如，3DJ6D是N沟道结型场效应三极管，3D06C是N沟道绝缘栅型场效应三极管。

日本命名法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

如2SK134为N沟道MOSFET，2SJ49为P沟道MOSFET。