场效应管FQPF2N60C/FQP2N60C

品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
型号/规格：
FQPF2N60/FQP2N60C
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
HF/高频(射频)放大
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
600（V）
夹断电压：
1200（V）
跨导：
0（μS）
*间电容：
0（pF）

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电源IC(3)
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二极管(44)
∟ 检波二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(19)∟ 瞬态(变)抑制二极管(1)∟ 触发二极管(1)∟ 肖特基二极管(2)∟ 其他二极管(3)
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商品信息

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经销代理产品: 场效应管(MOSFET)
600V电压：1N60,2N60,4N60,7N60,10N60...
400V电压：IRF730,5N40,11N40
500V电压：IRF830,4N50,9N50
800V电压：7N80 900V电压：6N90
Spansion:*R FLASH闪存(容量4*,8*,16*,32*,64*)
ST:开关电源芯片VIPer12A/VIPer22A,运算放大器
MXIC:*R FLASH闪存(容量4*,8*,16*,32*,64*)
Winbond/NexFlash:SPI Flash(NX25P10,NX25P20,NX25P40)
Semtech:*雷保护芯片SLVU2.8-4,锂电池保护芯片SC805,SC806

：陈生

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