原装 SI2305DS-T1-E3 威世/VISHAY 场效应管

品牌/商标：
SI2305DS-T1-E3
型号/规格：
SI2305DS-T1-E3
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
L/功率放大
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
IGBT*缘栅比*
开启电压：
1（V）
夹断电压：
1（V）
跨导：
1（μS）
*间电容：
1（pF）

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商品信息

完整型号:SI2305DS-T1-E3
年份:10
厂家:VISHAY
封装:SOT-23
供应数量:50000PCS
包装:编带盘装
公司经营世界各*电子元器件,优势厂家: ON INFINEON FAIRCHILD ST NS VISHAY MICREL MICROCHIP NXP SAMSUNG AD BB XILINX ALTERA
优势供应各*厂家集成电路,IC,通信IC,二*管,三*管,场效应管,高频管,稳压管(器),三端稳压,可控硅.电压IC:LDO低压差稳压器,低电压检测复位IC,升压DC/DC转换器,降压DC/DC转换器,LED驱动器,电压检测器,稳压器,基准电压.

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