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FKD3004 东沅N沟道MOSFET 封装TO252

供应FKD3004 东沅N沟道MOSFET 封装TO252
供应FKD3004 东沅N沟道MOSFET 封装TO252
  • 型号/规格:

    FKD3004

  • 品牌/商标:

    Fet/东沅

  • 封装形式:

    TO252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • QQ:

    1186670662

  • 资质:

    代理

  • 货源:

    原厂

  • 可售卖地:

    全国

VIP会员 第 13
  • 企业名:深圳市科瑞芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-21001680
    0755-82170220

    手机:
    13925219291

    联系人:林小姐/颜先生

    QQ: QQ:2233965261QQ:44849710

    微信:

    邮箱:koreic@126.com

    地址:广东深圳深圳市宝安区民治梅龙路南源商业大厦1105室(可送货 )

商品信息

Fet/东沅 FKD3004 TO252 N沟道快速开关MOSFET


FKD3004额定参数

● 漏极-源极电压:30V
● 栅源电压:±20V
● 连续漏极电流
ID@TA=25℃:55A
ID@TA=70℃:40A
ID@TA=25℃:13.6A
ID@TA=70℃:11.4A
● 脉冲漏极电流:110A
● 单脉冲雪崩能量:57.8mJ
● 雪崩电流:34A
● 总功耗
PD@TC=25℃:41W
PD@TA=25℃:2.42W
● 储存温度范围:-55150℃
● 工作接点温度范围:-55至150℃


FKD3004电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏源击穿电压:30V
●参考温度系数:0.027V/℃
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V,ID=30A:7.5~8.5mΩ
VGS=4.5V,ID=15A:11~14mΩ
● 栅极阈值电压:1.2~2.5V
●温度系数:-5.8mV/℃
● 漏源漏电流
VDS=24,VGS=0V,TJ=25℃:1uA
VDS=24V,VGS=0V,TJ=125℃:5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 正向跨导:38S
●栅极电阻:2.2~3.5mΩ
● 闸门总电荷:12.6~17.6nC
● 栅极-源极电荷:4.2~5.9nC
● 栅漏电荷:5.1~7.1nC
● 开机延迟时间:4.6~9.2ns
● 上升时间:12.2~22ns
● 关机延迟时间:26.6~53ns
● 秋季时间:8~16ns
● 输入电容:1317~1843pF
● 输出电容:163~228pF
● 反向转移电容:131~183pF


产品规格书(部分)



联系方式

企业名:深圳市科瑞芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-21001680
0755-82170220

手机:
13925219291

联系人:林小姐/颜先生

QQ: QQ:2233965261QQ:44849710

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邮箱:koreic@126.com

地址:广东深圳深圳市宝安区民治梅龙路南源商业大厦1105室(可送货 )

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