制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 2.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 0.3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 1.4 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 660 mW

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: Diodes Incorporated  

下降时间: 1.7 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 2.7 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 4.2 ns  

典型接通延迟时间: 0.6 ns  

单位重量: 8 mg

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