IR/国际整流器
IRFP054N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 12 毫欧 @ 43A, 10V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 81A
直插型
企业名：深圳市广鑫世纪电子有限公司
类型：经销商
电话： 0755-88824483
联系人：林爱凤
地址：广东深圳华强路华强广场D座19J
IRFP054N
数据列表IRFP054NPbF
产品相片TO-247-3
产品目录绘图IR Hexfet TO-247AC
标准包装25
类别分离式半导体产品
家庭FET -单
系列HEXFET®
FET型MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点标准型
漏*至源*电压(Vdss) 55V
电流-连续漏*(Id) @ 25°C 81A
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25°C 12毫欧@ 43A, 10V
Id时的Vgs(th)（*大）4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V
输入电容(Ciss) @ Vds 2900pF @ 25V
功率-*大170W
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
