产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 68.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 300 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS CFD2
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 127 ns
典型接通延迟时间: 34 ns
宽度: 5.21 mm
零件号别名: IPW65R041CFDFKSA1 SP000756288 IPW65R041CFDFKSA1
单位重量: 6 g
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 68.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 300 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS CFD2
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 127 ns
典型接通延迟时间: 34 ns
宽度: 5.21 mm
零件号别名: IPW65R041CFDFKSA1 SP000756288 IPW65R041CFDFKSA1
单位重量: 6 g
IPW65R041CFD IPW65R041CFD IPW65R041CFD IPW65R041CFD IPW65R041CFD

主营范围：ic公司经营的主要优势品牌有：AD、MAXIM、NXP、TI、ST、ATMEL、IR等。并兼营各系列二、三极管、电容电阻、模块、开关，继电器及其它电子元件,提供的配单服务，可为您寻找＊＊级、工业级、偏冷门、已停产的各系列IC器件。产品的应用领域涉及：IT、通信、遥控、控制系统、汽车、机械、仪表、家电控制、军用、航空、和卫星等行业。

企业名：深圳市赛奥斯科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-83245423
0755-83011065

手机：15673540295
15889752608

联系人：李先生/李小姐

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