CER-DIP/陶瓷直插
740
N-FET硅N沟道
A/宽频带放大
OGFD
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
企业名:无锡羿胜华业科技有限公司
类型:生产企业
电话: 0510-82864500
联系人:徐先生
邮箱:243161287@qq.com
地址:江苏无锡崇安区上马墩路18号B栋214室
∟ MOSFET(64)
产品型号:740 参数:400V 11A 0.55Ω 封装:TO-220
备注:厂家直销 原装进口 大量现货 量大价优 欢迎选购!
无锡羿胜华业科技有限公司(简称“羿胜华业”)是从事半导体产品的研发、设计、生产和销售的高科技企业。在1995年在香港成立AUSHK,2000年在深圳成立深圳市谷峰电子有限公司,后在无锡成立无锡羿胜华业科技有限公司,负责江浙地区市场。
香港公司地址:香港沙田小瀝源安平街6號新貿中心B座2109室
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深圳市谷峰电子有限公司
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地址:广东省深圳市宝安44区鸿都工业园西区七楼(创业天虹后面)
无锡羿胜华业科技有限公司
:吕美
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地址:无锡市崇安区上马墩路18号B座
我公司长期大量供应进口MOSFET场效应管,品质卓越,价格优惠!
且备有大量现货,长期大量稳定供货,量大价格优。
高中低压,电压到900V,各种型号。
Product | BVDSS | ID | RDSON | PACKAGE |
<V> | <A> | <OHM> | ||
9N90 | 900V | 9A | 1.4 | TO-3P |
7N80 | 800V | 7A | 1.9 | TO-220 |
4N60 | 600V | 4A | 2.5 | TO-220 |
5N60 | 600V | 4.5A | 2.5 | TO-220 |
7N60 | 600V | 7A | 1.2 | TO-220 |
8N60 | 600V | 7.5A | 1.2 | TO-220 |
10N60 | 600V | 10A | 0.75 | TO-220 |
12N60 | 600V | 12A | 0.65 | TO-220 |
840 | 500V | 8A | 0.85 | TO-220 |
20N50 | 500V | 20A | 0.26 | TO-3P |
740 | 400V | 11A | 0.55 | TO-220 |
640 | 200V | 18A | 0.18 | TO-220 |
32N20 | 200V | 32A | 0.085 | TO-220 |
1579 | 150V | 79A | 0.016 | TO-220 |
01H10 | 100V | 100A | 0.009 | TO-220 |
8680 | 86V | 80A | 0.0068 | TO-220 |
8070 | 80V | 70A | 0.011 | TO-220 |
7080 | 70V | 80A | 0.008 | TO-220 |
50N06PL | 60V | 50A | 0.022 | TO-220 |
3205TR | 55V | 105A | 0.006 | TO-220 |
3205PL | 55V | 110A | 0.008 | TO-220 |
30P55 | -55 | -30 | 0.03 | T0-252 |
36P04 | -40 | -36 | 0.009 | TO-220 |
1404TR | 40V | 190A | 0.004 | TO-220 |
100N03 | 30V | 100A | 0.004 | TO-220 |
80N03 | 30V | 80A | 0.005 | T0-251/252 |
50N03 | 30V | 50A | 0.008 | T0-251/252 |
25N03 | 30V | 25A | 0.011 | DFN3*3 |
10N03 | 30V | 10A | 0.0135 | SOP-8 |
2301 | ﹣20V | ﹣3A | 110mΩ | SOT-23 |
2302 | 20V | 2.9A | 45mΩ | SOT-23 |
2305 | ﹣20V | ﹣4.1A | 52mΩ | SOT-23 |
3401 | ﹣30V | ﹣4.2A | 75mΩ | SOT-23 |
我们在国内外均建有强大的经验丰富的自主研发科技团队,产品主要针对电源管理和功率器件领域。我们能根据市场的需求,不断研发出性价比更高更具有竞争力的产品。同时,我们在国内和国外的大型半导体工厂投片生产。我们亦与国内的多家封装工厂有很好的合作,从而保证产品的优质品质,在市场上有相当好的口碑。
无锡羿胜华业是在公司已有的基础上,充分利用海外归国人员的先进技术、丰富的国外资源和营销管理经验,加强国内外的合作,技术和市场的整合,使得公司在产品研发和销售上有更进一步的发展。
在IC设计方面,我们拥有一项国家的技术。此技术是用普通CMOS的5V工艺能做到140V以上的高电压,主要运用于EL背光驱动,替代了韩国三星产品,在港深地区有效地占据了40%强的市场份额,因其独特的工艺和技术,至今未被其他竞争对手所超越。
羿胜华业在巩固和深入原有半导体产品的基础上,主要加强对MOSFET产品的研发、生产和销售。
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