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FQPF8N60 FQP8N60 8N60 FSC*童系列 600VN沟道MOSFET

FQPF8N60 FQP8N60 8N60 FSC*童系列 600VN沟道MOSFET

FQPF8N60 FQP8N60 8N60 FSC*童系列 600VN沟道MOSFET

品牌/商标：
Federick美国
型号/规格：
FQPF8N60 FQP8N60 8N60
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-ARR/陈列组件
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
GE-P-FET锗P沟道

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普通会员

企业名：詹林妹

类型：经销商

电话： 086 0755 82501313

手机：13824328343

联系人：詹林妹

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区新亚洲二期N1B032柜

产品分类

电源IC(11)
∟ LED驱动IC(1)∟ 稳压IC(7)∟ 其他电源IC(3)
二极管(13)
∟ 整流二极管(3)∟ 开关二极管(1)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)∟ 阻尼二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(4)∟ 肖特基二极管(2)
三极管(29)
∟ 功率三极管(4)∟ 开关三极管(3)∟ 低噪声三极管(9)∟ 复合(达林顿)三极管(4)∟ 高反压三极管(1)∟ 其他三极管(6)
场效应管MOSFET(7)
∟ MOSFET(7)
可控硅IGBT(17)
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LED(1)
∟ 其它LED相关产品（服务）(1)
电子材料(1)
∟ 半导体晶体材料(1)
其他未分类(11)

新品上架

商品信息

FQPF8N60C - 600V N沟道MOSFET - 飞兆半导体

描述：

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面条形，DMOS技术。这种的技术已针对大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并能承受量脉冲雪崩和换向模式。这些器件适用于率开关模式电源供应器，有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥拓扑

特点：

7.5A，600V，R _DS（ON） = 1.2 @ V _GS = 10 V
低栅*电荷（典型28 nC）
低Crss（典型12 pF）
快速开关
100％的雪崩测试
改进dv / dt能力

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