ST意法  STF3NK100Z  MOS效应管 

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1000 V

Id-连续漏极电流:2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:25 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:9.3 mm 

长度:10.4 mm 

系列:N-channel MDmesh

 晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:4.6 mm 

商标:STMicroelectronics 

下降时间:32 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:7.5 ns 

工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:39 ns

 典型接通延迟时间:15 ns

 单位重量:330 mg

STF3NK100Z  MOS效应管

特征

■极高的dv / dt能力

■100％雪崩测试

■门电荷化

■非常低的内在电容

■非常好的制造重复性

应用

■切换应用程序

描述

SuperMESH™系列是通过一个

ST的优化极其优化

基于条带的PowerMESH™布局。 此外

推动导通电阻显着下降，

被采取保证一个非常好dv / dt

能力为苛刻的应用程序。

这个系列补充了ST全系列的高

高压功率MOSFET。

专营原装：三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等。

MOS效应管  MOS效应管

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