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IRL3803S - IRF PDF资料 英文描述:30V,140A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(30V,140A,N沟道 HEXFET功率MOS场效应管) 中文描述:30V的,律目140A,N沟道... 

技术规格：标准包装:50;类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 单路 系列:HEXFET®;FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物;FET 特点:逻辑电平门;开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C:6 毫欧 @ 71A, 10V;漏极至源极电压(Vdss):30V;电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:140A;Id 时的 Vgs(th)（）:1V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs:140nC

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