产品类型 功率二*管 品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 P60NF-06 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 功率型 封装材料 金属封装 功率特性 *率 频率特性 中频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 圆灯 反向电压VR .（V） 正向直流电流IF .（A） ...............................................................
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品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IFR540 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 低频噪声系数 0（dB） 漏*电流 120（mA） 耗散功率 2（mW）
电话：86 0755 27891383
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IR美国国际整流器
HFA08TB60PBF
产品类型 整流管 品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 HFA08TB60PBF 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 树脂封装 功率特性 *率 频率特性 中频 发光颜色 标准绿 LED封装 无色散射(W) 出光面特征 方灯 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 600（V） 正向直流电流IF 1.7V @ 8A（mA） 数据列表HFA08TB60PBF产品...
电话：86 0755 82719303
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40N03
F
无铅*型
供应电脑电源管40N03/45N03 供应电脑电源管40N03/45N03 供应电脑电源管40N03/45N03 供应电脑电源管40N03/45N03 供应电脑电源管40N03/45N03
电话：0754-84499996
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ST意法半导体
STP9NK60
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP9NK60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 20（μS） *间电容 2000（pF） 漏*电流 9A（mA） 本商行同时供应以下MOS管2N60-20N60IRFBC20-IRFB*0K1117-K1119K2333K2543-K...
电话：86 0754 84483628
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品牌/商标 韩国WISDOM 型号/规格 2N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 夹断电压 600（V） 漏*电流 200（mA）
电话：86 0755 29888835
IR美国国际整流器公司
IRF7493
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF7493 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 跨导 0（μS） *间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏*电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 品名： IRF749*BF品牌： IR封装： SO...
电话：86 755 36526253
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品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 GT60N321 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 CHIP/小型片状 开启电压 1000（V） 漏*电流 60（mA） 现货，欢迎来电咨询.IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，*缘栅双*型晶体管，是由BJT(双*型三*管)和MOS(*缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率...
电话：86 0755 82567630
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品牌/商标 IR 型号/规格 IRF2807PBF 封装 TO220 TO262 批号 10+ 类型 其他IC ==========================型号 IRF2807PBF品牌 IR 封装 TO-220耐压值(V) 75 通过电流(A) 82内阻 13mΩ========================== IRF2807 概述IR的HEXFET功率场效应管IRF2807采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF2807这种...
电话：86 0755 28195839
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型号/规格 SKKT57/16E 规格尺寸 92*20*30（mm） 材质 - 特性 - 用途 - 北京通广利达 刘先生 西门康全系列可控硅 skkt skkth sket 等
电话：086 010 51286941
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FAIRCHILD
FQPF3N80C
品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF3N80C 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 6（V） 夹断电压 800（V） 低频跨导 祥见参数（μS） *间电容 祥见参数（pF） 低频噪声系数 祥见参数（dB） 漏*电流 祥见参数（mA...
电话：86 0755 82762780
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品牌:国产 型号:5N60 8N60 10N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-INM/*组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） 跨导:10（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）深圳天伟达电子商行成立于20...
电话：0755-82895962
TQM6M4003
triquint
无铅*型
世纪茂源为手机方案设计公司、手机PCBA生产商和手机整机制造商优势提供现货TQM6M4003——手机双频GSM/GPRS无线数*送模块。 TQM6M4003——双频GSM/GPRS无线数*送模块主要特点简介：●TQM6M4003使用3V～4.5V电压，是目前国际市场上的双频GSM/GPRS无线数*送模块...
电话：021-55235608
品牌/商标 IR 型号/规格 IRF1010E,IRF1010N,IRFI1010N 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 SP/*外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2.5（V） 夹断电压 60（V） 跨导 1（μS） *间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏*电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
电话：86 0754 84472126
手机：13202136378
品牌:三陵 型号:M67746 封装:模块 批号:05+ 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 工作温度:0~70（℃） 类型:其他IC经营系列：STK头SI头YPPD-J 系列4921QP系列SVI系列RSN系列PMM系列,三菱通信模块.厚模模块，电源模块。 买家*读。1本店出售的产品，均*质量.如证明确有质量问题，请您及时与我联系.我们将于给于处理.收到退货...
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VISHAY
IRFL9014TRPBF
种类 场效应管 品牌/商标 VISHAY 型号/规格 IRFL9014TRPBF 描述晶体管*性:P通道电流, Id 连续:1.8A电压, Vds :60V在电阻RDS（上）:500mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V工作温度范围:-55°C 到 +150°C封装类型:SOT-223针脚数:3SMD标号:FL9014功率, Pd:3.1W功耗:3.1W外宽:6.7mm外...
电话：0755-82723789
品牌:TDK 型号:1206-2220 介质材料:陶瓷(瓷介) 应用范围:高压 外形:长方形 功率特性:大功率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:无引线 允许偏差:&plu*n;10（%） 耐压值:50（V） 等效串联电阻(*R):标准（mΩ） 标称容量:1-100（uF） 损耗:0.1 额定电压:标准（V） *缘电阻:标准（mΩ）...
电话：0755-29602911
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFP260N 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 UHF/*频 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 600（V） 夹断电压 49（V） 跨导 DB（μS） *间电容 DS（pF） 低频噪声系数 FD（dB） 漏*电流 FDD（mA） 耗散功率 DD（mW） 深圳市升宇谷科技有限公司，IR全系列电子元器件...
电话：0755-83228665
FAIRCHILD
FQPF6N60
类型 稳压IC 品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF6N60 封装 DIP/SMD 批号 10+ FQPF6N60 600V的N沟道MOSFETFQPF6N60600V的N沟道MOSFET一般描述这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面条形，DMOS技术。这种*的技术，*是针对已限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，经受住了在*量脉冲雪崩和减刑模式...
电话：0755-36673319
