品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF9540 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 .（V） 夹断电压 .（V） 低频跨导 .（μS） *间电容 .（pF） 低频噪声系数 .（dB） 漏*电流 ..（mA） 耗散功率 ..（mW） 所报价格可能会随市场有...
电话：86 571 88009772
手机：15088650833
品牌:SILAN 型号:SVD2N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:4（V） *间电容:320（pF） 漏*电流:2A（mA） 耗散功率:23W（mW）电压 600V 产品名称 SVD2N60 参数ID 2A 参数RDSON(MAX) 4.6Ω 封...
电话：571-87550591
品牌:* 型号:L2N7003LT1 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:陶瓷封装 应用范围:整流桥、高压硅供应场效应晶体管（L2N7003LT1） 应用高频Point-of-Load巴克同步器在网络和应用计算机系统, *低的关系型数据库(在)在4.5V器较低的大门*具有雪崩电压杭州裕成电子有限公司是一家现代管理型创业公司。公司通过IS...
电话：0571-56789128
品牌/商标 国产 型号/规格 3DJ9 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 SP/*外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） *间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏*电流 10（mA） 耗散功率 100（mW）
电话：571-88009785
型号:MW3451-FC 厂家:* 封装:*MW3451-FC产品简介： TTL电平接口光收发一体模块是武汉迈威光电技术有限公司在对光器件有深刻的理解和研发经验的基础上，并适合用户需要开发的高技术产品。该模块解决了传统光模块PECL到TTL电平转换问题，拓展了光收发一体化模块的应用范围。 ■ 双ST插拔式光接口，光收发合一； ■ 工作电压＋...
电话：571-89902086
