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场效应管MOSFET

(共找到“7”条查询结果)
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  • 型号/规格:

    IRFP250N

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

本公司从事电源模块、IGBT,IRMOS管及相关配件、元器件产品的代理、分销。渠道正规,。 公司建立三年多,一直配有的技术、销售及物流团队,一直坚持“和谐、诚信、卓越、效率,以的服...

  • 型号/规格:

    CM600HA-24H

  • 品牌/商标:

    MITSUBISHI(三菱)

  • 环保类别:

    无铅环保型

上海新隆电子有限公司,销售世界各大品牌的功率模块,有IR.IXYS.三肯.PRX.泰科.三社.丹弗斯.日立,英达. Mitsubishi.ABB .Fujitsu.东芝.英飞凌.欧佩克.西门子.西门康。等系列产品,有IGBT,整流桥.二极管,可控硅,IPM,GTR,熔断器,晶闸管等, 我们以的质量,...

  • 上海新隆电子模块
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:其他
  • 地区:上海上海市
  • 电话:021-63461338

    手机:18221065881

  • 型号/规格:

    12N60

  • 品牌/商标:

    semiHow

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

semiHow介绍: SemiHow是以在*半导体技术和中国奠定的*生产为基础,以中国企业坚实的 Partnership为*, 与 Partner一起用其他企业无法*衡的竞争力, 扩大中国市场的 Market企业. semiHow...

  • 型号/规格:

    APM9435KC-TRG

  • 品牌/商标:

    茂达

封装: SOP-8 Vds(V): -30 Vgs(V): ±25 Id(A): -4.9 R@Vgs=10: 60(53) R@Vgs=4.5: 95(80) R@Vgs=2.5: - Qg(Vgs=4.5V): 22.6(10v) V(th): -1.5

  • 品牌/商标:

    Mitsubishi/三菱

  • 型号/规格:

    *60AM-18F

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

欢迎垂询上海资发半导体有限公司 上海资发半导体有限公司位于中国,上海资发半导体有限公司是一家IGBT、可控硅、GTR、平板GTO、英飞凌、ABB、场效应管等等产品的经销批发的。上海资发...

  • 型号/规格:

    1N60

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

V(BR)DSS 漏源击穿电压 : 600V (VGS = 0V, ID = 250μA)RDS(on) 静态漏源导通电阻 : 9 Ω (VGS=10V,ID = 0.5A)VGS(th) 阈值电压 : 3V (VDS = VGS, ID = 250&a...

  • 型号/规格:

    FPR25R12KE3

  • 品牌/商标:

    EUPEC/德国

  • *类别:

    无铅*型

EUPEC/IGBT模块

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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