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原厂供应*结MOS管 场效应管NCE05N65I 650V/4.8A

原厂供应*结MOS管 场效应管NCE05N65I 650V/4.8A
原厂供应*结MOS管 场效应管NCE05N65I 650V/4.8A
  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    NCE05N65I

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 开启电压:

    2.5-3.5

  • 品牌/商标:

    NCE

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 夹断电压:

    大于650

普通会员
  • 企业名:无锡新洁能股份有限公司

    类型:生产企业

    电话:

    手机:13510096050

    联系人:王敏

    地址:江苏无锡中国 江苏 无锡市滨湖区 高浪东路999号国家传感中心B1栋东侧2楼

产品分类
商品信息

     产品特征:卓越的功率转换效率

     *低的导通功率损耗源于*低的特征导通电阻(Ron*A

     *低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于*低的FOMRon*Qg)

     卓越的Eas能力(100?s测试)

   产品应用:电脑、服务器的电源——更低的功率损耗

   适配器(笔记本电脑,打印机等)——更轻、更薄

   照明(HID灯,工业照明,道路照明等)更高的功率转换功率

   消费类电子产品(液晶电视,等离子电视等)——更轻、更薄、更*效

   Vds=650V;Id=4.8A ; Rds(ON)<950mΩ @Vgs=10V  (T*:850mΩ)

   注:@在…的条件下    封装:TO-251





























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企业名:无锡新洁能股份有限公司

类型:生产企业

电话:

手机:13510096050

联系人:王敏

地址:江苏无锡中国 江苏 无锡市滨湖区 高浪东路999号国家传感中心B1栋东侧2楼

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