FQD10N20CTM
FAIRCHILD(飞兆)
TO-252-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
企业名:深圳智联伟业电子科技有限公司
类型:经销商
电话: 0755-82520572
手机:13922881519
联系人:王先生
邮箱:zlwydz@gmail.com
地址:广东深圳福田区中航路都会100大厦B座30L
∟ 稳压IC(1)
本公司专营东芝,ST 意法半导体,仙童,ON-安森美,IR-国际整流,等系列MOSFET,快恢复,肖特基,稳压管,场效应管,二三极管等,品种齐全,并且长期都有库存,您不用担心供货的能力和供货的持续性,本公司为正规公司,可开增值税发票,是您长期合作的理想供应商!
产品介绍:
型号:FQD10N20CTM
品牌:仙童
类型:MOS管
描述:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块:High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装:2,500
类别”:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.8A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 25V
功率 - :50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:带卷 (TR)
其它名称:FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR
型号:FQD10N20CTM
品牌:仙童
类型:MOS管
描述:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块:High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装:2,500
类别”:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.8A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 25V
功率 - :50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:带卷 (TR)
其它名称:FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR型号:FQD10N20CTM
品牌:仙童
类型:MOS管
描述:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块:High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装:2,500
类别”:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.8A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 25V
功率 - :50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:带卷 (TR)
其它名称:FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR型号:FQD10N20CTM
品牌:仙童
类型:MOS管
描述:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块:High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装:2,500
类别”:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.8A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 25V
功率 - :50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:带卷 (TR)
其它名称:FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR型号:FQD10N20CTM
品牌:仙童
类型:MOS管
描述:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块:High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装:2,500
类别”:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.8A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 25V
功率 - :50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:带卷 (TR)
其它名称:FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR
企业名:深圳智联伟业电子科技有限公司
类型:经销商
电话: 0755-82520572
手机:13922881519
联系人:王先生
邮箱:zlwydz@gmail.com
地址:广东深圳福田区中航路都会100大厦B座30L
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