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E6N02 SOP-8 (20V,6.5A DUAL N-CH MOSFET管)

供应E6N02 SOP-8 (20V,6.5A DUAL N-CH MOSFET管)
供应E6N02 SOP-8 (20V,6.5A DUAL N-CH MOSFET管)
  • 型号/规格:

    E6N02

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    sop-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

银牌会员 第 17
  • 企业名:深圳市广辉电子有限公司

    类型:

    电话: 13686868407

    手机:13686868407

    联系人:陈树辉

    QQ: QQ:659974144

    微信:

    邮箱:659974144@qq.com

    地址:广东深圳深圳市深南东路金城大厦3-10-A//柜台:深圳市华强北路新华强电子世界Q3B026室

产品分类
商品信息

MOSFETS

N沟道、P沟道和互补MOSFET

安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),用于电源转换和开关电路

产品说明:

描 述

MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC

标准包装 : 2500
系列 : DUAL N-CH MOS
FET 型 : 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 3.92A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C : 35 毫欧 @ 6A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)() : 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1100pF @ 16V
功率 - : 730mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SOICN
包装 : 剪切带 (CT)

E6N02: Power MOSFET 20V 6.5A 35 mOhm Dual N-Channel SO-8
特性:

Ultra Low RDS(on)
 
Higher Efficiency Extending Battery Life
 
Logic Level Gate Drive
 
Miniature Dual SO-8 Surface Mount Package
 
Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
 
Avalanche Energy Specified
 
SO-8 Mounting Information Provided
 
Pb-Free Package is Available
 


应用:

DC-DC Converters
Low Voltage Motor Control
Power Management in Portable and Battery-Powered Products, i.e.: Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards

 

 

联系方式

企业名:深圳市广辉电子有限公司

类型:

电话: 13686868407

手机:13686868407

联系人:陈树辉

QQ: QQ:659974144

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地址:广东深圳深圳市深南东路金城大厦3-10-A//柜台:深圳市华强北路新华强电子世界Q3B026室

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