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无锡固电ISC 供应2SD986晶体管

是否提供**：
是
品牌/商标：
ISC
型号/规格：
2SD986
应用范围：
达林顿
材料：
硅(Si)
集电*允许电流ICM：
1.5（A）
集电*耗散功率PCM：
10（W）
结构：
平面型
封装形式：
直插型
封装材料：
塑料封装

发布询价信息

普通会员

企业名：无锡固电半导体股份有限公司

类型：生产企业

电话： 0510-85346980

联系人：谈增琴

QQ：

邮箱：wisca@pub.jsinfo.com

地址：江苏无锡无锡新区新梅路68号

产品分类

三极管(117)

新品上架

商品信息

2SD986三*管，TO-126

D*CRIPTION

·Collector–Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 80V(Min.)

·DC Current Gain-

: h_FE= 2000(Min) @ I_C= 1A

·LowCollector Saturation Voltage

·Complement to T*e 2*795

APPLICATIONS

·They are suitable for use to operate from IC without

predriver, such as hammer driver.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SY*OL

PARAMETER

VALUE

UNIT

V_CBO

Collector-Base Voltage

150

V

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

80

V

V_EBO

Emitter-Base Voltage

8

V

I_C

Collector Current-Continuous

1.5

A

I_CM

Collector Current-Pulse

3.0

A

I_B

Base Current

0.15

A

P_C

Collector Power Dissipation

T_a=25℃

1.0

W

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

10

T_i

Junction Temperature

150

℃

T_stg

StorageTemperature Range

-55~150

℃

ELE*RICAL CHARA*ERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

*SYOL**	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP.	MAX	UNIT
V_CE_(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 1A; I_B= 1mA			1.5	V
V_BE_(sat)	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= 1A; I_B= 1mA			2.0	V
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= 80V_;I_E= 0			10	μA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= 5V; I_C= 0			2.0	mA
h_FE-1	DC Current Gain	I_C= 0.5A; V_CE= 2V	1000
h_FE-2	DC Current Gain	I_C= 1A; V_CE= 2V	2000		30000
Switching Times
t_on	Turn-on Time	I_C=1.0A;I_B1=-I_B2=1.0mA V_CC=50V; R_L=50Ω		0.5		μs
t_stg	Storage Time			1.0		μs
t_f	Fall Time			1.0		μs

"