品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFL214 | 种类:*缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MW/微波 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:30(V) |
夹断电压:30(V) | 跨导:30(μS) | *间电容:45(pF) |
低频噪声系数:45(dB) | *大漏*电流:45(mA) | *大耗散功率:45(mW) |
供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214
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