品牌:0N/安森美 | 型号:MTB29N15 | 种类:结型(JFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-TPBM/三相桥 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GaAS-FET砷化镓 | 开启电压:30(V) |
夹断电压:30(V) | 跨导:45(μS) | *间电容:45(pF) |
低频噪声系数:45(dB) | *大漏*电流:45(mA) | *大耗散功率:45(mW) |
原装供应场效应MTB29N15
原装供应场效应MTB29N15
原装供应场效应MTB29N15
原装供应场效应MTB29N15
原装供应场效应MTB29N15
原装供应场效应MTB29N15
原装供应场效应MTB29N15
原装供应场效应MTB29N15
原装供应场效应MTB29N15
原装供应场效应MTB29N15
原装供应场效应MTB29N15
"友情链接: 深圳市元东发电子有限公司