| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF740S |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CHOP/斩波、限幅 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 400（V） | 夹断电压 | 400（V） |
| *间电容 | 1400（pF） | *大漏*电流 | 10000（mA） |
| *大耗散功率 | 31000（mW） |
| IRF740SPBF |
| D2PAK, TO-263 (2 leads + tab) |
| IR(F,L,Z) Series Side 1 IR(F,L,Z) Series Side 2 |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 550 毫欧 @ 6A, 10V |
| 400V |
| 4V @ 250µA |
| 63nC @ 10V |
| 10A |
| 1400pF @ 25V |
| 3.1W |
| 表面贴装 |
| D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片） |
| 带卷 (TR) |
| 1380 (CN091-10 PDF) |
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