品牌/商标 | HIT日本日立 | 型号/规格 | AO4611 SOP-8 |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | D-G双栅四* |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 1000(V) | 夹断电压 | 1000(V) |
低频跨导 | 500(μS) | *间电容 | 500(pF) |
低频噪声系数 | 0.01(dB) | *大漏*电流 | 100(mA) |
*大耗散功率 | 0.1(mW) |
货期:现货供应
原产地:墨西哥/韩国/中国(原装*)
包装方式:管装。型号后带TR则代表盘装
质量/*:IR产品已通过ISO 9001:2000,无铅*
品质*:只有原装,只做原装
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