品牌:INR美德国际整流器件 型号:IRFR5305TRPBF 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:500(V) 夹断电压:400(V) 低频跨导:12(μS) *间电容:1(pF) 低频噪声系数:1(dB) *大漏*电流:1(mA) *大耗散功率:25(mW)
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