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场效应IGBT.G15N60RUFD

供应场效应IGBT.G15N60RUFD
供应场效应IGBT.G15N60RUFD
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    G15N60RUFD

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    广泛

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 夹断电压：

    600（V）

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普通会员
产品分类
新品上架
商品信息 更新时间：2012-12-17

迅丰电子*供应场效应IGBT.远新原装正品.SGH15N60RUFD .如有需要欢迎来电洽谈

特色标志优惠品牌FAIRCHILD
型号SGH15N60RUFD封装TO-*
*限电压600（V）*限电流15（A）
用途电磁炉沟道类型N沟道

联系方式

企业名：广州市越秀区迅丰电子经营部

类型：经销商

电话： 020-83302113

联系人：罗东丰

地址：广东广州广州市越秀区米市路31号F档

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