| 品牌/商标 | UTC（台湾友顺） | 型号/规格 | UT70N03 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| *大漏*电流 | 60000（mA） | *大耗散功率 | 53000（mW） |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
D*CRIPTION
The UT70N03 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate
voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
FEATUR*
* RDS(ON)< 9mΩ @ VGS=10V, ID=33A
* RDS(ON)< 18mΩ @ VGS=4.5V, ID=20A
* Low capacitance
* Low gate charge
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
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