品牌:TW 型号:6N60 种类:*缘栅 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 夹断电压:600（V） 饱和漏*电流:7（mA） 营销方式:新品 用途:专为*开关电源而设计的一种*的高压MOSFET
我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆6N60，质量*。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
产品介绍：6N60是专为*开关电源而设计的一种*的高压MOSFET，具有快速开关的特点。
芯片基本性质：：
芯片型号Model | 6N60 |
芯片尺寸： | 3.75*5.08 |
VDSS | 600V |
RDS(on) | 1.20(max) |
ID | 7.0A |
正面电*金属 | 铝 |
背面电*金属 | 银 |
芯片基本性质：
参考封装形式：
芯片型号 | 封装外型 | 封装类型 |
6N60 | TO-220、TO-220PF | 塑封 |
我公司可提供相关型号详细资料。
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