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| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STGW20NC60VD |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | IGBT*缘栅比* |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | *间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | *大漏*电流 | 1（mA） |
| *大耗散功率 | 1（mW） |
ST原装IGBT单管STGW20NC60VD,*原装现货,600PCS/盒,有需要请联系
意法半导体(ST)日前推出PowerM*H系列*缘栅比*晶体管。新器件专为家电电机控制、功率因数校正和电磁加热应用而设计。此系列*缘栅双*晶体管采用一项与载流子寿命控制相关的*布局*技术，这项技术能够改进器件的集电*-发射*饱和电压特性，同时还能降低开关损耗，从而使个系列产品适合*50KHz的开关应用。
STGP20NC60V和STGW20NC60V均为30A、600V N沟道器件，采用TO-220或TO-247封装。为避免交叉传导现象，降低栅电荷，这两个产品优化了Crss/Ciss比例。它们的开关损耗包括尾电流和二*管恢复能量。STGW20NC60VD是一个TO-247封装的STGW20NC60V器件，区别是在同一个封装内的集电*与发射*之间增加一个续流二*管。而STGW40NC60V是一个TO-247封装的50A、600V的器件，STGY40NC60VD是一个与STGW40NC60V类似的产品，不同点是在Max247封装内增加一个反并联二*管。
*器件的*大工作温度都是150℃，集电*-发射*饱和电压都很低，在额定电流时低于2.5V。
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