优质场效应管FDN335N/SP335N

品牌/商标：
台湾Sipu
型号/规格：
FDN335N/SP335N
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-ARR/陈列组件
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
GaAS-FET砷化镓

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产品分类

电源IC(4)
∟ DC-AC(1)∟ 稳压IC(2)∟ 其他电源IC(1)
二极管(66)
∟ 整流二极管(10)∟ 稳压二极管(1)∟ 开关二极管(3)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(3)∟ 变容二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(3)∟ 肖特基二极管(15)
三极管(23)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(1)∟ 功率三极管(10)∟ 低噪声三极管(1)∟ 三端稳压管(器)(1)∟ 复合(达林顿)三极管(2)∟ 高反压三极管(1)∟ 其他三极管(1)
场效应管MOSFET(23)
∟ MOSFET(18)∟ 其他场效应管模块(1)
可控硅IGBT(5)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(1)∟ 双向可控硅(晶闸管)(1)
电容器(37)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(1)∟ 铝电解电容(9)∟ 钽电解电容(3)∟ 安规电容(5)∟ 陶瓷电容(1)∟ 独石(层积)电容(3)∟ 纸膜复合电容(纸介)电容(2)∟ 其他电容(12)
电阻器(82)
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电感器(3)
∟ 功率电感(1)∟ 扼流线圈电感(2)
电源/稳压器(2)
∟ 电源充电器(机)(1)∟ 其他类型电源(1)
保险丝(8)
放电管(5)
∟ 其他放电管(5)
光电子/光纤/激光(1)
∟ 光电光耦合器(光耦)(1)
防静电产品(2)
∟ 其它防静电产品(2)
其他未分类(7)

新品上架

商品信息 更新时间：2012-12-15

General Description
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced
using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench
process that has been especially tailored to minimize the
on-state resistance and yet maintain low gate charge for
*ior switching performance.
Applications
• DC/DC converter
• Load switch
Features
• 1.7 A, 20 V. RDS(ON) = 0.07 W @ VGS = 4.5 V
RDS(ON) = 0.100 W @ VGS = 2.5 V.
• Low gate charge (3.5nC t*ical).
• High performance trench technology for extremely
low RDS(ON).
• High power and current handling capability.