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场效应管 RF1S45N03L F45N03L

场效应管 RF1S45N03L F45N03L
场效应管 RF1S45N03L F45N03L
  • 漏*电流:

    45A

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    RF1S45N03L,MOS,30V,45A,0.022Ω,262

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 品牌/商标:

    HAR美国哈里斯半导体

  • 用途:

    S/开关

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 夹断电压:

    10

  • *间电容:

    1650

普通会员
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商品信息 更新时间:2012-12-16

RF1S45N03L,MOS,30V,45A,0.022Ω,262

 

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