50A
P-DIT/塑料双列直插
KIA50N06A,MOS,60V,50A, FQP50N06,MOS,60V,50A
N-FET硅N沟道
KIA
N沟道
*缘栅(MOSFET)
&plu*n;20
增强型
1220
企业名：深圳市金城微零件有限公司
类型：经销商
电话： 0755-83683996
联系人：钟丽华
QQ： 
邮箱：2355799088@qq.com
地址：广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E（上海宾馆后面） 门市1部：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部：深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
产品型号:KIA50N06
封装:TO-220
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):&plu*n;20
*大漏*电流Id(A):50
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.023 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):130
*间电容Ciss(PF):900 TYP.
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):480
温度(℃): -55 ~150
描述:60V,50A N-Channel PowerTrench MOSFET
产品型号:FQP50N06
封装:TO-220
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):&plu*n;20
*大漏*电流Id(A):50
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.022 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):120
*间电容Ciss(PF):1180 TYP.
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s)：22
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):490
温度(℃): -55 ~175
描述:60V,50A N-Channel MOSFET
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1、直接与我司工作人员联系!
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类型：经销商
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