场效应管 MDP15N60G MDP15N60

品牌/商标：
MagnaChip/美格纳
型号/规格：
MDP15N60TH，TO-220，MagnaChip/美格纳，DIP/MOS，N场，600V，15A，Ω
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
N-FET硅N沟道
夹断电压：
30
*间电容：
2311
漏*电流：
15W

发布询价信息

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产品分类

电源IC(9)
∟ 稳压IC(9)
二极管(315)
∟ 稳压二极管(1)∟ 开关二极管(1)∟ 变容二极管(2)∟ 快/超快/特快恢复二极管(170)∟ 肖特基二极管(141)
三极管(57)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(1)∟ 功率三极管(33)∟ 开关三极管(6)∟ 低噪声三极管(3)∟ 复合(达林顿)三极管(10)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(2031)
∟ MOSFET(1893)∟ 结型场效应管(2)∟ 其他场效应管模块(3)
可控硅IGBT(48)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(20)∟ 双向可控硅(晶闸管)(26)
电源/稳压器(6)
∟ 模块电源/电源模块(4)
传感器(1)
∟ 霍尔传感器(1)
LED(1)
∟ 其它LED相关产品（服务）(1)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-04

MDP15N60TH，TO-220，MagnaChip/美格纳，DIP/MOS，N场，600V，15A，

General Description

These N channel MOSFET are produced using advanced MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low on
state resistance,high switching performance and excellent quality.
These devices are suitable device for SMPS,high Speed switching and general purpose applications.

Features

VDS=600V ID=15A @ VGS=10V
RDS(ON) ≤ 0.40E @ VGS = 10V

Applications
Power Supply
PFC
High Current, High Speed Switching

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