场效应管 KIA4N60PF,KIA4N60,4N60

漏*电流：
4.4A
材料：
N-FET硅N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
型号/规格：
KIA4N60PF,MOS,600V,4A,2.4Ω,220F
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
品牌/商标：
KIA
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
夹断电压：
&plu*n;30
*间电容：
670

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企业名：深圳市金城微零件有限公司

类型：经销商

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联系人：钟丽华

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产品分类

电源IC(9)
∟ 稳压IC(9)
二极管(315)
∟ 稳压二极管(1)∟ 开关二极管(1)∟ 变容二极管(2)∟ 快/超快/特快恢复二极管(170)∟ 肖特基二极管(141)
三极管(57)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(1)∟ 功率三极管(33)∟ 开关三极管(6)∟ 低噪声三极管(3)∟ 复合(达林顿)三极管(10)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(2031)
∟ MOSFET(1893)∟ 结型场效应管(2)∟ 其他场效应管模块(3)
可控硅IGBT(48)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(20)∟ 双向可控硅(晶闸管)(26)
电源/稳压器(6)
∟ 模块电源/电源模块(4)
传感器(1)
∟ 霍尔传感器(1)
LED(1)
∟ 其它LED相关产品（服务）(1)

新品上架

商品信息

KIA4N60PF,MOS,600V,4A,2.4Ω,220F,代理，价格优势

1 . Description

The KIA4N60H N-Channel enhancement mode s ilicon gate power MOSFET is designed
for high voltage, high speed power switchingapplications such as sw itching regulators, switching
converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.

2 . Features

   RDS(ON) =2.5 ? @ VGS=10V
   Low gate charge (t*cal 16nC)
   High ruggedness
   Fast switching capability
   Avalanche energy specified
   Improved dv/dt capability

MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
如需了解更多的产品信息:
1、直接与我司工作人员联系!
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