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场效应 2SK2364 K2364 2SK2543 K2543

场效应 2SK2364 K2364 2SK2543 K2543
场效应 2SK2364 K2364 2SK2543 K2543
  • 漏*电流:

    32A

  • 型号/规格:

    2SK2364,MOS,500V,8A,0.6Ω 2SK2543,MOS,500V,8A,0.85Ω,220F

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 夹断电压:

    &plu*n;30

  • 导电方式:

    增强型

  • *间电容:

    1600

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息

产品型号:2SK2364

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V): 30/-30

*大漏*电流Id(A):8

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.6 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3.5

功率PD(W):35

*间电容Ciss(PF):1600

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):4

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):320

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,8A N-Channel 功率MOSFET

 

产品型号:2SK2543

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V): 30/-30

*大漏*电流Id(A):8

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):40

*间电容Ciss(PF):1300

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):7

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):312

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,8A N-Channel 功率MOSFET


如需了解更多的产品信息:
1、直接与我司工作人员联系!
2、登陆我站:https://www.chinajincheng.com
3、:4006262666
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联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83683996

联系人:钟丽华

QQ: QQ:2355799088

邮箱:2355799088@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

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