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场效应管 AP25N10GH-HF,25N10GH,AP9997GH

场效应管 AP25N10GH-HF,25N10GH,AP9997GH
场效应管 AP25N10GH-HF,25N10GH,AP9997GH
  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    AP25N10GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,100V,23A,0.08Ω

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    APEC/富鼎

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息

AP25N10GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,100V,23A,0.08Ω

产品型号:AP25N10GH-HF
特点:
 * 低栅*电荷
 * 单驱动器要求
 * *合RoHS及无卤素

封装:SOT-252

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):100

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):23

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.08 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):96

输入电容Ciss(PF):1060 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):14

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):10 t*.

上升时间Tr(ns):28 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):17 t*.

下降时间Tf(ns):2 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:100V,23A N-沟道增强型场效应晶体管


(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\.)

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联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83683996

联系人:钟丽华

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