SMD(SO)/表面封装
Si7170DP-T1-GE3,QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0034Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
Vishay/威世通
MOSFET N 通道,金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
增强型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
Si7170DP-T1-GE3,QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0034Ω
产品型号:Si7170DP-T1-GE3
特点
* 无卤素
* TrenchFET Power MOSFET
* 100%的Rg测试
* 1005的雪崩测试
应用
* 低端笔记本电脑
* VRM POL
封装:QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0034 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.6
功率PD(W):48
输入电容Ciss(PF):4355 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):90
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
上升时间Tr(ns):10 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,40A N-沟道增强型场效应晶体管
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
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