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场效应管 TK30A06J3A,K30A06J3A

场效应管 TK30A06J3A,K30A06J3A
场效应管 TK30A06J3A,K30A06J3A
  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    TK30A06J3A,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,80A,0.026Ω

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息

TK30A06J3A,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,80A,0.026Ω

 

产品型号:TK30A06J3A

封装:TO-220F

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):30

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.026 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):25

输入电容Ciss(PF):1950 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):34

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):40

导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.

上升时间Tr(ns):4 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):36 typ.

下降时间Tf(ns):48 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TK30A06J3A 60V,30A N-沟道增强型场效应晶体管

登陆我站:https://www.chinajincheng.com
企业Q
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联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83683996

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