SMD(SO)/表面封装
SSM3K15AMFV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,30V,0.1A,3.6Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
TOSHIBA/东芝
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
SSM3K15AMFV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,30V,0.1A,3.6Ω,带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)
应用:
* 负载开关应用
特点:
* 2.5 V驱动器
* 低导通电阻:RDS(ON)=3.6Ω(值)(@ VGS =4 V)
:RDS(ON)=6.0Ω(值)(@ VGS= 2.5 V)
产品型号:SSM3K15AMFV
封装:SOT-723
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):0.1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS = 4 V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):13.5 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):4.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):5.5 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):36 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3K15AMFV,30V,0.1A N-沟道增强型场效应晶体管
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