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场效应管 SSM3K15AMFV,DI

场效应管 SSM3K15AMFV,DI
场效应管 SSM3K15AMFV,DI
  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    SSM3K15AMFV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,30V,0.1A,3.6Ω

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息

SSM3K15AMFV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,30V,0.1A,3.6Ω,带二极静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)

应用:
 * 负载开关应用

特点:
 * 2.5 V驱动器
 * 低导通电阻:RDS(ON)=3.6Ω(值)(@ VGS =4 V)
             :RDS(ON)=6.0Ω(值)(@ VGS= 2.5 V)

产品型号:SSM3K15AMFV

封装:SOT-723

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):0.1

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS = 4 V

开启电压VGS(TH)(V):1.5

功率PD(W):0.15

输入电容Ciss(PF):13.5 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):4.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):5.5 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):36 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3K15AMFV,30V,0.1A N-沟道增强型场效应晶体管


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联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83683996

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