产品型号:CMD20N06L
20A,60V.RDS(ON)=0.046Ω@VGS=10V
20N06结合先进沟槽MOSFET技术这种先进的技术已特别是针对减少通态电阻，提供出色开关性能。
20N06非常适合于低电压应用如汽车，DC/ DC转换，以及高效率的开关电源管理在便携式和电池供电产品。

特点:
 * 无卤素根据IEC 61249-2-21定义
 * TrenchFET Power MOSFET
 * 超小型1.5毫米×1毫米外形
 * 超薄0.59高度
 * 符合RoHS指令2002/95/EC

应用;
 * 电源供应器
 * 转换器
 * 功率电机控制
 * 桥电路

封装:SOT-252

品牌：CMOSFET

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):20

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.032 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.3

功率PD(W):60

输入电容Ciss(PF):720 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：10

导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.

上升时间Tr(ns):62 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):27 typ.

下降时间Tf(ns):40 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:CMD20N06L,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,20A,0.046Ω

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