BSC020N025SG,PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.002Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
INFINEON/英飞凌
MOSFET N 通道,金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
增强型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
BSC020N025SG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.002Ω
型号:BSC020N025SG | ||||
标记:20N025S | ||||
类型:场效应管 | ||||
通道极性:N通道 | ||||
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | ||||
Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 25 | V |
Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 100 | A |
Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 200 | A |
Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25? | 800 | mJ |
Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 104 | W |
Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=110µA | 2 | V |
Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A | 2 | m? |
Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 6230 | PF |
Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A | 131 | S |
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